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解令海教授课题组在J. Phys. D: Appl. Phys.发表有机场效应晶体管存储器的温度依赖效应新研究
 添加时间:2016/04/06 发布: 管理员
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作为有机电子器件的重要组成部分之一,有机场效应晶体管存储器因其具有非破坏性读取,可实现高密度存储及易于与有机电路相集成等优点,被广泛认为是最具有应用前景的下一代存储器件。在实际应用中,存储器件的性能与工作温度密切相关。目前研究温度对有机场效应晶体管存储影响的工作主要局限于高温条件,并存在相关机制不明确的问题。因此,深入研究有机场效应晶体管存储器的性能与温度的关系并分析存储器件温度依赖效应的机制,成为实现有机场效应晶体管存储器在有机光电子器件中应用的研究重点。在本工作中,IAM团队的李雯博士、仪明东副教授和解令海教授在基于制备高性能有机场效应晶体管存储器的基础上,研究了存储器件在不同温度下(20℃, 60℃, 80℃和-78.5℃)的电学性能,并首次关注较低温度(-78.5℃)对存储器件性能的影响,深入分析有机场效应晶体管存储器的温度依赖效应机制。研究表明,与在室温条件下相比,基于PMMA电介体层的有机场效应晶体管存储器件在高温和低温条件下,器件的存储窗口减小,维持时间衰减变快,其机制分别源于温度导致的并五苯薄膜结晶度降低以及并五苯薄膜与PMMA薄膜间接触面积增加,进而减少PMMA薄膜捕获的电子数量且被捕获的电子更容易被释放。此外,低温条件下器件性能受空气湿度影响较大。该工作所提出的有机场效应晶体管存储器的温度依赖效应及机制,为实现有机场效应晶体管存储器的实际应用提供了基础。该项工作近期发表在J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 49, 125104。

该工作得到了国家自然科学基金委、江苏省研究生创新计划等项目的资助和支撑。

文章链接:http://iopscience.iop.org/0022-3727/49/12/125104/media

文章附件:Analysis of temperaturdependent PMMA OFET.pdf


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