English | NanjingTech | Contact
成果直击    
  研究方向   
  科研项目   
  科研平台   
  成果直击   
  分析测试中心   

当前位置: 网站首页 科学研究 成果直击 正文
解令海教授课题组在Org. Electron.上发表优异存储性能的有机场效应晶体管新研究
 添加时间:2016/04/06 发布: 管理员
二维码

扫描二维码,在手机中查看。

有机场效应晶体管非易失性存储器具有制备工艺简单、材料来源广、无污染、成本低廉等优点,近年来受到科研工编辑广泛关注。然而由于有机半导体载流子迁移率较低,有机薄膜性能不稳定,导致这种存储器读写擦循环能力较弱、数据维持时间较短、空气稳定性较差。在本工作中,IAM团队的舒景坤硕士、仪明东副教授和解令海教授基于有机聚合物薄膜中的FN隧穿效应,通过引入多孔结构的PMMA聚合物薄膜的隧穿效应,制备出了性能稳定的有机场效应晶体管存储器。原子力显微镜(AFM)结果表明,并五苯的部分颗粒在蒸镀过程中掺入了在PMMA薄膜的孔洞中,这使得PMMA隧穿层和并五苯活性层之间的有效隧穿面积大大增加,同时使PMMA薄膜和并五苯薄膜之间的电子转移路径增多,促进存储器中浮栅粒子对电子的捕获和释放。同时,该多孔结构的PMMA隧穿层还具有高的电学绝缘性,可以使得电荷在浮栅层中稳定存在。最终使得这种基于多孔结构PMMA隧穿层的有机场效应晶体管存储器具有优异的非易失性和写/擦可靠性,进行反复读写擦循环测试时,存储性能几乎没有衰减,其存储窗口达到43V,电流开关比达到105,维持时间在104s时器件存储开关比还能保持在104以上。上述存储特性显示出该存储器是无损写/擦有机场效应晶体管非易性存储器。该项工作发表在Org. Electron., 2016, 33, 95-101, 2016, 33, 95-101。

该工作得到了国家青年973项目、国家自然科学基金委等项目的资助和支撑。

文章链接:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119916300799

文章附件:The effect of porous structure of PMMA tunneling dielectric layer on the performance of nonvolatile floating-gate organic field-effect transistor memory devices.pdf


Copyright ? 2017-2019 三昇体育平台_三昇体育(唯一)官网 All rights reserved.

官方微信
地址:南京市新模范马路5号138信箱 总共访问:   [旧版回顾]
电话: 025-83587982 邮件:iam@njtech.edu.cn
 
XML 地图 | Sitemap 地图